: 2.3 横のチューニング
: 2. 2007年4月第2週 run-6
: 2.1 進行状況
目次
索引
加速電場の設定等の基礎データは、A氏によるレポートに詳しい(第5章の参考資料及び第2.1図)。同じ事であるが、2月以来の3回のラン毎の設定電場を、デザイン値で規格化して図2.3に示す。
図 2.3:
SDTLの設定電場(デザイン=1としている)。run4(青)、run5(赤)、run6(緑)。2台の空洞を一つのクライストロン(高周波電源)により励振している。同一クライストロンにより励振される空洞は、同じSDTL空洞番号として表示している。
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- この結果から、設定結果が次第にデザインに近づいている事がわかる。特にrun6(緑)の空洞番号11以降は、前回run以後の、モニター(rfモニター及び位相モニターか)とスキャンの精度向上が寄与している事がわかる。
- 一方、前半の部分のデザインとの乖離は未だに大きい。
- 本図の表示結果は、二つのモニター及び空洞測定結果のエラーを含むので、これだけで電場設定が本図の通りに悪いとは言い切れないが、全体を含めて、デザイン値に近づける事が、スタディの目標の一つであろう。
- SDTL前半の加速電場が変化する部分では、縦方向のマッチングを行っている。この部分をエネルギーだけでつじつまを合わせる事は、好ましくない。
- 高周波加速には、電場強度と位相の二つのパラメータがある。加速エネルギーをデザインと合わせる複数のパラメータセットが存在するが、二つのパラメータの組み合わせが適切でない場合には、縦エミッタンスに影響がある事は、以前に報告した。
- 加速電場の目標設定精度は1度1パーセントと云われる。そうした目標への道ははるかである。
昔からの仕事を見ていると、最初に不十分であれば、その後の改善の余地が大きい。即ち、いつまでも仕事があるのである。PSのASNレポートを見れば、人が替わり、忘れた頃に同じ事が繰り返されている事がわかる。そのうちに、根本的な部分が改善された場合、ビームは向上するのである。
: 2.3 横のチューニング
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